GADGETS

Bekas jurutera Samsung didakwa bocor rahsia pembuatan cip DRAM 10nm kepada syarikat China

Amanz 31/12/2025 | 10:10 MYT
Bekas jurutera Samsung didakwa di mahkamah Korea Selatan kerana membocorkan rahsia pembuatan cip memori DRAM kepada syarikat teknologi China, ChangXin Memory Technologies. -Foto fail/Amanz
SEOUL: Sekumpulan bekas jurutera Samsung didakwa di mahkamah Korea Selatan kerana membocorkan rahsia pembuatan cip memori DRAM kepada syarikat teknologi China, ChangXin Memory Technologies (CXMT), yang dikatakan menjejaskan keuntungan Samsung dan industri semikonduktor negara itu.


Ringkasan AI
  • Bekas jurutera Samsung didakwa di mahkamah Korea Selatan kerana membocorkan rahsia pembuatan cip memori DRAM kepada syarikat teknologi China, ChangXin Memory Technologies.
  • CXMT mula menghasilkan cip DRAM 10nm sejak 2024, dua tahun lebih awal daripada jangkaan, hasil maklumat sulit yang didakwa diperoleh daripada jurutera Samsung.
  • Nota fizikal berisi maklumat sulit pembuatan cip DRAM Samsung yang dicurigai telah diberikan kepada CXMT, menyebabkan kerugian besar kepada Samsung dan Korea Selatan.

Klik di sini untuk FAQ berkaitan artikel ini

Media tempatan melaporkan CXMT mula menghasilkan cip DRAM 10nm sejak 2024, dua tahun lebih awal daripada jangkaan, hasil maklumat sulit yang didakwa diperoleh daripada jurutera Samsung.

Siasatan mendapati tiada akses tidak sah ke pelayan, sebaliknya rahsia pembuatan ditulis secara manual ke dalam nota fizikal selama lima tahun.

Nota tersebut dipercayai mengandungi lebih 600 langkah pembuatan terperinci termasuk nisbah aliran gas, tekanan reaktor dan tetapan fotoresis untuk proses litografi dan pemendapan kritikal.

Pendedahan ini dijangka menyebabkan kerugian beberapa trilion Won kepada Samsung dan Korea Selatan, ketika persaingan sengit antara negara dan syarikat semikonduktor untuk menguasai teknologi cip berprestasi tinggi bagi kegunaan AI. -Amanz






Fakta Segera: Jawapan Pantas Dari AI
  • Q: Apakah kesan dakwaan membocorkan rahsia pembuatan cip DRAM Samsung kepada CXMT terhadap industri semikonduktor Korea Selatan?
    A: Dakwaan ini dijangka menyebabkan kerugian besar beberapa trilion Won kepada Samsung dan Korea Selatan dalam persaingan industri semikonduktor.
  • Q: Bagaimanakah nota fizikal yang mengandungi maklumat sulit pembuatan cip DRAM Samsung diperoleh oleh CXMT?
    A: Nota fizikal yang mengandungi lebih 600 langkah pembuatan terperinci dipercayai telah diberikan kepada CXMT, membolehkan mereka untuk menghasilkan cip DRAM 10nm lebih awal daripada jangkaan.
  • Q: Mengapakah pendedahan maklumat sulit pembuatan cip DRAM Samsung ini dianggap berpotensi menyebabkan kerugian besar kepada Samsung dan Korea Selatan?
    A: Pendedahan maklumat sulit ini memberikan kelebihan persaingan kepada CXMT dan mengurangkan keuntungan Samsung, menyebabkan kerugian ekonomi yang signifikan.



#cip memori DRAM #jurutera Samsung #bocor rahsia #ChangXin Memory Technologies